G.Skill DDR3 4 ГБ 1600-999 NQ двойной
Набор микросхем M/B — Intel P55/X38/X48/P4x, серии AMD 785/790/890.
Задержка CAS — 9-9-9-24.
Название модели F3-12800CL9D-4GBNQ
Серия NQ
Емкость 4 ГБ (2 x 2048 МБ)
Количество модулей 2 шт.
Дизайн DIMM
Тип DDR3
Соединение 240-контактное
Напряжение на 1,5 Вольта до 1,6 Вольта
Стандарт DDR3-1600 (PC3-12800)
Тайминги
Задержка CAS (CL) 9
Задержка RAS-CAS (tRCD) 9
RAS-Время предварительной зарядки (tRP) 9
Строка-Активное время (tRAS) 24