G.Skill DDR3 SO-DIMM 8 ГБ 1600–999 SQ, двойной
DDR3-1600 PC3 12800 8 ГБ (4 ГБ x 2) CL 9-9-9-28 1,5 Вольт.
Название модели F3-12800CL9D-8GBSQ
Емкость 8 ГБ (2 x 4096 МБ)
Количество модулей 2 шт.
размещение двустороннее
Количество микросхем памяти 32 (16 на модуль)
плотность данных 2048 на каждом чипе памяти
организация 256Mx8
Проектирование SO-DIMM
Тип DDR3
Соединение 204-контактное
Напряжение на напряжение 1,425 до напряжения 1,575
Стандарт DDR3-1600 (PC3-12800)
Тайминги
Задержка CAS (CL) 9
Задержка RAS-CAS (tRCD) 9
RAS-Время предварительной зарядки (tRP) 9
Строка-Активное время (tRAS) 28
